（1）D1需要选择快恢复二极管，反向截止电流要小，避免反向时损坏驱动器；

（2）耐压要大于等于IGBT的耐压值，如果耐压不够，可以选择两个二极管串联的方法提高耐压值，但是要注意这样做会降低保护阀值电压，使IGBT比较容易进入保护状态。

（1）D1需要选择快恢复二极管，反向截止电流要小，避免反向时损坏驱动器；

（2）耐压要大于等于IGBT的耐压值，如果耐压不够，可以选择两个二极管串联的方法提高耐压值，但是要注意这样做会降低保护阀值电压，使IGBT比较容易进入保护状态。

（1）D1需要选择快恢复二极管，反向截止电流要小，避免反向时损坏驱动器；

（2）耐压要大于等于IGBT的耐压值，如果耐压不够，可以选择两个二极管串联的方法提高耐压值，但是要注意这样做会降低保护阀值电压，使IGBT比较容易进入保护状态。

（1）D1需要选择快恢复二极管，反向截止电流要小，避免反向时损坏驱动器；

（2）耐压要大于等于IGBT的耐压值，如果耐压不够，可以选择两个二极管串联的方法提高耐压值，但是要注意这样做会降低保护阀值电压，使IGBT比较容易进入保护状态。

（1）D1需要选择快恢复二极管，反向截止电流要小，避免反向时损坏驱动器；

（2）耐压要大于等于IGBT的耐压值，如果耐压不够，可以选择两个二极管串联的方法提高耐压值，但是要注意这样做会降低保护阀值电压，使IGBT比较容易进入保护状态。

（1）D1需要选择快恢复二极管，反向截止电流要小，避免反向时损坏驱动器；

（2）耐压要大于等于IGBT的耐压值，如果耐压不够，可以选择两个二极管串联的方法提高耐压值，但是要注意这样做会降低保护阀值电压，使IGBT比较容易进入保护状态。

（1）D1需要选择快恢复二极管，反向截止电流要小，避免反向时损坏驱动器；

（2）耐压要大于等于IGBT的耐压值，如果耐压不够，可以选择两个二极管串联的方法提高耐压值，但是要注意这样做会降低保护阀值电压，使IGBT比较容易进入保护状态。

（1）D1需要选择快恢复二极管，反向截止电流要小，避免反向时损坏驱动器；

（2）耐压要大于等于IGBT的耐压值，如果耐压不够，可以选择两个二极管串联的方法提高耐压值，但是要注意这样做会降低保护阀值电压，使IGBT比较容易进入保护状态。

（1）D1需要选择快恢复二极管，反向截止电流要小，避免反向时损坏驱动器；

（2）耐压要大于等于IGBT的耐压值，如果耐压不够，可以选择两个二极管串联的方法提高耐压值，但是要注意这样做会降低保护阀值电压，使IGBT比较容易进入保护状态。

（1）D1需要选择快恢复二极管，反向截止电流要小，避免反向时损坏驱动器；

（2）耐压要大于等于IGBT的耐压值，如果耐压不够，可以选择两个二极管串联的方法提高耐压值，但是要注意这样做会降低保护阀值电压，使IGBT比较容易进入保护状态。